—— 采用Microchip先进的 mSiC 技术，具备MB与MC系列碳化硅MOSFET的优异性能
发布于2026年3月20日
Microchip Technology Inc.（微芯科技公司）今日推出BZPACK mSiC®功率模块，专为满足严苛的高湿、高电压、高温反偏（HV‑H3TRB）标准而设计。BZPACK模块可提供卓越可靠性、简化生产流程，并为最严苛的功率转换应用提供丰富的系统集成方案。该模块支持多种拓扑结构，包括半桥、全桥、三相及 PIM/CIB 配置，为设计人员提供优化性能、成本与系统架构的灵活空间。
BZPACK mSiC功率模块通过测试并满足超过1000小时标准的HV-H3TRB标准，为工业及可再生能源应用部署提供可靠保障。该模块采用相比漏电起痕指数（CTI）达600V的封装外壳，在全温度范围内具备稳定的导通电阻Rds(on)，并可选用氧化铝（Al₂O₃）或氮化铝（AlN）基板，提供出色的绝缘性能、热管理能力与长期耐用性。
Microchip负责大功率解决方案业务部的副总裁Clayton Pillion表示：“BZPACK mSiC功率模块的推出，进一步彰显Microchip致力于为最严苛功率转换环境提供高可靠性和高性能解决方案的承诺。依托先进的mSiC技术，我们能够为客户提供一条更简便的路径，帮助其在工业和可持续发展市场构建高效且持久的系统。”
为简化生产并降低系统复杂性，BZPACK模块采用紧凑无基板设计，配备压接式无焊端子，并可选配预涂覆导热界面材料（TIM）。这些灵活的配置选项可实现更快的装配速度、更高的一致性制造品质，并通过行业标准封装尺寸实现更便捷的多货源采购。此外，该模块采用引脚兼容设计，使用更加简便。
Microchip的MB与MC系列mSiC MOSFET旨在为工业和汽车应用提供高可靠性解决方案，其中部分产品通过AEC Q101车规认证。这些器件支持通用栅源电压（VGS ≥ 15V），采用行业标准封装，易于集成。经过验证的HV-H3TRB能力有助于降低因潮湿引发漏电或击穿导致的现场故障风险，保障长期可靠性。此外，MC 系列集成栅极电阻，实现更优的开关控制，保持低开关损耗，并增强多芯片模块配置稳定性。现有产品提供TO-247-4 Notch封装及裸片（华夫盘）形式。
Microchip在碳化硅器件及功率解决方案的研发、设计、制造与支持方面拥有逾20年经验，致力于帮助客户轻松、快速且放心地采用碳化硅技术。公司mSiC系列产品与解决方案旨在降低系统成本、加快产品上市并降低开发风险。Microchip提供丰富且灵活的碳化硅二极管、MOSFET及栅极驱动器产品。如需了解更多信息，敬请访问官网：www.microchip.com/sic。
供货与定价
BZPACK mSiC功率模块现已量产供货。客户可直接向Microchip采购或联系Microchip销售代表。
Microchip Technology Inc. 简介
Microchip Technology Inc. 作为一家提供丰富半导体产品的厂商，致力于通过完整的系统级解决方案，让创新设计更便捷，帮助客户解决将新兴技术应用于成熟市场时遇到的关键挑战。公司提供易于使用的开发工具和丰富的产品组合，支持客户从概念构想到最终实现的全流程设计。Microchip 总部位于美国亚利桑那州Chandler市，凭借卓越的技术支持，持续为工业、汽车、消费、航天和国防、通信以及计算等市场提供解决方案。详情请访问公司网站www.microchip.com。
